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P型低内阻MOSFET 100P03 TO-252
P型低内阻MOSFET 100P03 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:100P03
产品封装:TO-252
产品标题:P型低内阻MOSFET 100P03 TO-252 手机快充用MOS 场效应管100P03
咨询热线:0769-89268116

产品详情


P型低内阻MOSFET 100P03 TO-252 手机快充用MOS 场效应管100P03



手机快充用MOS 100P03的特点:

  • VDS=-30V

  • ID=-100A

  • RDS(ON)<6.4mΩ@VGS=-10V

  • 封装:TO-252



手机快充用MOS 100P03的应用:

  • 锂电池保护

  • 手机快充



手机快充用MOS 100P03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续-100A
IDM漏极电流-脉冲-360
EAS单脉冲雪崩能量210mJ
IAS雪崩电流-50A
PD总耗散功率109W
RθJC结到管壳的热阻1.4
TSTG存储温度-55~175
TJ工作结温-55~175



手机快充用MOS 100P03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-30-33
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-30A


4.96.4

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-20A


7.510.5
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.6-2.5V
IDSS
零栅压漏极电流

-1μA
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
30
nC
Qgs栅源电荷密度
6
Qgd栅漏电荷密度
8
Ciss输入电容
6800
pF
Coss输出电容
769
Crss反向传输电容
726
td(on)开启延迟时间
11
ns
tr开启上升时间
13
td(off)关断延迟时间
52
tf
开启下降时间
21



手机快充用MOS 100P03的封装外形尺寸图:

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