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低压P沟道MOS管 2301 SOT-23
低压P沟道MOS管 2301 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:2301
产品封装:SOT-23
产品标题:低压P沟道MOS管 2301 SOT-23 场效应管主要参数 MOS管2301
咨询热线:0769-89268116

产品详情


低压P沟道MOS管 2301 SOT-23 场效应管主要参数 MOS管2301



低压P沟道MOS管 2301的管脚图:

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低压P沟道MOS管 2301的特点:

  • VDS=-20V

  • ID=-3.3A

  • RDS(ON)<80mΩ@VGS=-4.5V

  • 封装:SOT-23



低压P沟道MOS管 2301的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



低压P沟道MOS管 2301的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-20V
VGS栅极-源极电压±12
ID漏极电流-连续 TA=25℃-3.3A
漏极电流-连续 TA=70℃-2.6
IDM漏极电流-脉冲-13
PD总耗散功率 TA=25℃1.4W
RθJA结到环境的热阻125℃/W
TSTG
存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



低压P沟道MOS管 2301的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20-22
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-3A


5580

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-2A


75100
VGS(th)
栅极开启电压-0.5-0.7-1.2V
IDSS

零栅压漏极电

VDS=-20V,VGS=0V,TJ=25℃



-1uA

零栅压漏极电流

VDS=-20V,VGS=0V,TJ=55℃



-5
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
12.2
S
Qg栅极电荷
10.1
nC
Qgs栅源电荷密度

1.21


Qgd栅漏电荷密度
2.46
Ciss输入电容
677
pF
Coss输出电容
82
Crss反向传输电容
73
td(on)开启延迟时间
5.6
ns
tr开启上升时间
32.2
td(off)关断延迟时间
45.6
tf
开启下降时间
29.2


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