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20V增强型NMOS 70P02 TO-252
20V增强型NMOS 70P02 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:70P02
产品封装:TO-252
产品标题:20V增强型NMOS 70P02 TO-252 国产场效应管 负载开关用MOS
咨询热线:0769-89268116

产品详情


20V增强型NMOS 70P02 TO-252 国产场效应管 负载开关用MOS



国产场效应管 70P02的引脚图:

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国产场效应管 70P02的特点:

  • VDS=-20V

  • ID=-70A

  • RDS(ON)<9mΩ@VGS=-4.5V

  • 封装:TO-252



国产场效应管 70P02的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



国产场效应管 70P02的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-20V
VGS栅极-源极电压±12
ID漏极电流-连续 TC=25℃-70A
漏极电流-连续 TC=70℃-35
IDM漏极电流-脉冲-210
PD总耗散功率 TC=25℃29W
总耗散功率 TC=70℃19
RθJA结到环境的热阻75℃/W
RθJC结到管壳的热阻4.2
TSTG
存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



国产场效应管 70P02的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20-22
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-15A


6.89

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-10A


8.211
VGS(th)
栅极开启电压-0.3-0.6-1V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
43
S
Qg栅极电荷
63
nC
Qgs栅源电荷密度

9.1


Qgd栅漏电荷密度
13
Ciss输入电容
5783
pF
Coss输出电容
509
Crss反向传输电容
431
td(on)开启延迟时间
15.8
ns
tr开启上升时间
76.8
td(off)关断延迟时间
193
tf
开启下降时间
186.4


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