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小封装PMOS 20P02 PDFN3X3-8L
小封装PMOS 20P02 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:20P02
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:小封装PMOS 20P02 PDFN3X3-8L 20V国产替代MOS 场效应管参数资料
咨询热线:0769-89268116

产品详情


小封装PMOS 20P02 PDFN3X3-8L 20V国产替代MOS 场效应管参数资料



小封装PMOS 20P02的管脚排列图:

blob.png



小封装PMOS 20P02的特点:

  • VDS=-20V

  • ID=-20A

  • RDS(ON)<9mΩ@VGS=-10V

  • 封装:PDFN3X3-8L



小封装PMOS 20P02的极限值:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-20V
VGS栅极-源极电压±8
ID漏极电流-连续 TC=25℃-20A
漏极电流-连续 TC=70℃-18
IDM漏极电流-脉冲-100
PD总耗散功率 TC=25℃29W
总耗散功率 TC=70℃19
RθJA结到环境的热阻40℃/W
RθJC结到管壳的热阻4.2
TSTG
存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



小封装PMOS 20P02的电特性:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20-24
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


6.59

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-8A


8.711.5

静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-6A


1315
VGS(th)
栅极开启电压-0.3-0.6-1V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
43
S
Qg栅极电荷
63
nC
Qgs栅源电荷密度

9.1


Qgd栅漏电荷密度
13
Ciss输入电容
5783
pF
Coss输出电容
509
Crss反向传输电容
431
td(on)开启延迟时间
15.8
ns
tr开启上升时间
76.8
td(off)关断延迟时间
193
tf
开启下降时间
186.4



小封装PMOS 20P02的封装外形尺寸图:

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