产品品牌：宇芯微

产品型号：2305

产品封装：SOT-23

产品标题：小电流贴片MOS管 2305 SOT-23 功率MOS P型场效应管

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多

产品品牌：宇芯微

产品型号：2301

产品封装：SOT-23

产品标题：低压P沟道MOS管 2301 SOT-23 场效应管主要参数 MOS管2301

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多

产品品牌：宇芯微

产品型号：70P02

产品封装：PDFN5X6-8L

产品标题：P型小电压MOS 70P02 PDFN5X6-8L -15V/70A 国产场效应管 MOSFET选型

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多

产品品牌：宇芯微

产品型号：70P02

产品封装：TO-252

产品标题：20V增强型NMOS 70P02 TO-252 国产场效应管 负载开关用MOS

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多

产品品牌：宇芯微

产品型号：20P02

产品封装：PDFN3X3-8L

产品标题：小封装PMOS 20P02 PDFN3X3-8L 20V国产替代MOS 场效应管参数资料

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多

产品品牌：宇芯微

产品型号：20P02

产品封装：TO-252

产品标题：MOS管20P02 贴片国产PMOS 20P02 TO-252 -20V/-20A 电池保护MOSFET

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多

产品品牌：宇芯微

产品型号：6P02

产品封装：DFN2X2-6L

产品标题：低压P型场效应管 6P02 DFN2X2-6L -20V场效应管型号 MOS管6P02

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多

产品品牌：宇芯微

产品型号：4406

产品封装：SOP-8

产品标题：30V低压MOS管 4406 SOP-8 贴片场效应管 MOS管4406

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多

产品品牌：宇芯微

产品型号：3410

产品封装：SOT-23-3L

产品标题：30V/6AMOS管 3410 SOT-23-3L 小电流场效应管 MOS管3410

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多

产品品牌：宇芯微

产品型号：180N03

产品封装：TO-263

产品标题：国产MOSFET 180N03 TO-263 贴片N型场效应管 MOS管180N03

模具特点：1出2，用YUDO热流道，模仁材质是日立（CENA-G），模具四面滑块，镶件较多